鍍銅光亮劑 Copper Plating Brightener｜PCB 與半導體 RDL 鍍銅製程添加劑
酸性鍍銅槽電鍍光亮劑系統添加劑 — 由光亮劑（Brightener / SPS）、整平劑（Leveler）、載運劑（Carrier / PEG）三組分構成、協同改善硫酸銅電鍍鍍層光亮度、平整度、延展性與通孔 / 盲孔填銅能力。適配 PCB 通孔電鍍、IC 載板電鍍、半導體 RDL（Redistribution Layer）鍍銅。本頁規格 3900LT 屬於光亮劑、整平劑或整套添加劑，以及加藥量，請依供應商 TDS／SDS 確認；下文三組分、RDL、TSV 等是酸性鍍銅添加劑的一般說明，不代表本品規格。
鍍銅光亮劑是電子業酸性鍍銅製程的關鍵化學藥水 — 不是單一化合物、是三組分有機添加劑系統。光亮劑（如 SPS / MPSA 含硫分子）加速鍍層生長並產生光亮鏡面；整平劑（含氮分子）抑制凸起處過度沉積讓鍍層平整；載運劑（PEG / PPG 高分子）控制整體沉積速率。三者協同作用、產生符合電子業要求的光亮、平整、延展性好的銅鍍層。
嘉鴻關係企業供應新竹科學園區一帶 PCB 廠、IC 載板廠、半導體封裝廠電鍍化學藥水、含標準型號與客製配方。提供 SDS、CVS 校準曲線、製程相容性報告。
規格表
| 項目 | 規格 / 內容 |
|---|---|
| 產品類型 | 酸性硫酸銅電鍍用光亮劑（本頁 3900LT；組成與加藥量依供應商 TDS／SDS） |
| 系統組分 | (1) 光亮劑 Brightener（SPS / MPSA 等含硫分子）+ (2) 整平劑 Leveler（含氮分子）+ (3) 載運劑 Carrier / Suppressor（PEG / PPG 高分子） |
| 外觀 | 無色至淺黃色透明液體 |
| 典型加藥量 | 5 – 20 mL / L 鍍液（依配方與製程而定，一般情況，仍需視個案而定） |
| 適用槽液 | 酸性硫酸銅電鍍槽（CuSO₄ + H₂SO₄ + 氯離子 + 添加劑系統） |
| 適用 PCB 製程 | 通孔電鍍（深寬比 5:1 以上）、雙面 / 多層板電鍍、HDI 微盲孔填銅 |
| 適用半導體製程 | IC 載板 BUM（Build-Up Multilayer）、RDL 鍍銅（線寬 2-5 μm）、TSV 銅填充 |
| 儲存條件 | 避光、室溫 15-25°C、密封、開封後 6-12 個月內用完 |
| 監控方法 | CVS（Cyclic Voltammetric Stripping）或 HPLC 在線分析、依結果補充 |
| 包裝 | 1 L / 5 L / 20 L PE 桶（含 UN 認證運輸罐） |
| SDS / 合規 | 提供 SDS 安全資料表、RoHS / REACH 符合性、GHS 危害分類標籤 |
※ 規格為酸性鍍銅添加劑業界一般範圍、實際配方與加藥量須依客戶槽液參數（銅離子濃度、酸度、溫度、攪拌方式、陽極類型）、製程節點與電鍍件規格做小試評估（一般情況、仍需視個案而定）。
應用情境
1. PCB 通孔電鍍（Through-Hole Plating）
雙面 / 多層 PCB 通孔深寬比 5:1 以上、需要強通孔填銅能力（Throwing Power）讓孔內均勻鍍銅。光亮劑系統配方偏重 Carrier 載運劑與 Leveler 整平劑、控制深孔沉積速率。
2. IC 載板 / HDI 微盲孔填銅
HDI（High Density Interconnect）板與 IC 載板的微盲孔（孔徑 50-100 μm、深度 60-100 μm）必須完全填滿銅、不能有空洞。光亮劑系統強化 Brightener 加速劑、底部優先沉積實現「Bottom-Up Filling」。
3. 半導體 RDL 鍍銅
晶圓級封裝（WLP）的 RDL（Redistribution Layer）銅線寬細到 2-5 μm、需要極平整鍍層 + 低應力（避免線路扭曲變形）。光亮劑配方偏重整平與應力控制。
4. TSV 銅填充（Through-Silicon Via）
3D IC 封裝的 TSV 直徑 5-20 μm、深度可達 100 μm 以上、深寬比極高。光亮劑系統需特殊配方實現「Super-Filling」、孔底完全填銅且表面平整。
選型重點：依製程對應添加劑特性
| 製程 | 關鍵指標 | 建議配方重點 | 典型加藥量 |
|---|---|---|---|
| PCB 雙面 / 多層板 | 通孔均勻性、延展性 | 強 Carrier / 中等 Leveler | 10-15 mL/L |
| HDI 微盲孔填銅 | 底部優先沉積（Bottom-Up） | 強 Brightener / 強 Leveler | 8-12 mL/L |
| IC 載板 BUM | 盲孔無空洞、表面平整 | 平衡型配方 | 10-15 mL/L |
| 半導體 RDL | 線寬均勻、低應力 | 強 Leveler / 弱 Brightener | 5-10 mL/L |
| TSV 銅填充 | Super-Filling、深孔無空洞 | 特殊 Super-Filling 配方 | 客製評估 |
三組分機制：Brightener + Leveler + Carrier 各做什麼
| 組分 | 典型化學分子 | 主要作用 | 過多 / 過少症狀 |
|---|---|---|---|
| Brightener 光亮劑 / 加速劑 | SPS（3,3′-Dithiodipropane sulfonic acid）、MPSA | 加速銅沉積、光亮鏡面、底部優先填孔 | 過多：應力大鍍層裂；過少：暗無光澤 |
| Leveler 整平劑 | JGB、SH-110、含氮季銨鹽 | 抑制凸起處沉積、深孔填銅、表面平整 | 過多：深孔填不滿；過少：表面粗糙 |
| Carrier / Suppressor 載運劑 | PEG 4000、PPG、EO/PO 共聚物 | 覆蓋陰極表面、控制整體沉積速率 | 過多：沉積慢；過少：表面微粒 |
| 輔助：氯離子 | HCl 或 NaCl | 協助光亮劑吸附（30-80 ppm） | 過多：邊緣燒焦；過少：光亮劑失效 |
※ 表列為一般經驗值，實際依原廠規格與使用條件為準。
為什麼是「三組分」而不是「一種光亮劑」？單一光亮劑加速劑會讓所有表面同時加速沉積、結果是凸起處更凸、凹陷處更凹（表面粗糙、深孔填不滿）。Leveler 整平劑優先吸附在凸起處抑制沉積、Carrier 載運劑控制整體速率、Brightener 在 Leveler 沒覆蓋的凹陷處加速 — 三者協同產生「凹陷處快速填、凸起處被抑制」的 Bottom-Up Filling 效果、實現深孔填銅與表面平整。
CVS 加藥控制：為什麼不能「定時補滿」
光亮劑三組分濃度會隨製程運行不斷變化：不同組分消耗速率不同、Brightener 通常消耗最快、Leveler 中等、Carrier 最慢。如果只靠「定時補滿初始量」會造成 Brightener 過量（應力大、粗糙）或 Leveler 不足（深孔填不滿）。
CVS（Cyclic Voltammetric Stripping，循環伏安溶出分析）
即時測 Suppressor / Carrier 濃度。原理：在標準鍍液中加入待測樣品、跑循環伏安掃描、量測「沉積峰」電量差來推算濃度。先進產線甚至有 inline CVS 自動加藥系統、每 30 分鐘到 4 小時取樣、依結果自動補充（一般經驗值，實際依原廠規格與使用條件為準）。
HPLC（高效能液相層析）
測 Leveler 含氮分子濃度更精確、但需專業實驗室、耗時 30-60 分鐘 / 樣品。中小型廠用 Hull Cell 試片 + 外觀比對作為替代簡易監控。
電鍍管理實務 Tips
槽液老化症狀辨識
鍍層出現霧面、條紋、Hull Cell 試片燒焦角、深孔填銅變差、加藥量上升但效果不明顯 — 都是分解副產物累積的警訊。每 6-12 個月做一次活性碳處理（一般情況、仍需視個案而定）、每 2-3 年大換槽。
儲存溫度控制
避免日照與高溫（>40°C 會加速分解）。長期儲存環境溫度過高、整桶光亮劑可能在「未開封」狀態下就失效。
環安與廢水處理
含硫 / 含氮有機化合物、接觸皮膚需立即清水沖洗、佩戴護目鏡與防化手套。電鍍廢水必須經中和、絮凝、沉澱、活性碳吸附等流程才能排放（排放限值依相關法規與各縣市規範）。台灣依「水污染防治法」規範。
換廠商最大陷阱：配方不相容
不同供應商的光亮劑、整平劑、載運劑分子結構不同、相互之間可能競爭吸附位置造成鍍層異常。換廠商不能「直接換槽」、必須先做活性碳處理把舊系統殘留清乾淨、再加新系統。否則會出現「兩家配方都符合 SDS、混在一起卻鍍不出來」的怪事。
換供應商前必做小試 / 中試 / 量產驗證
添加劑轉換是重大製程變更、不能直接換槽。完整流程 3-6 個月（一般情況、仍需視個案而定）：Lab-scale Hull Cell（1-2 週）→ Pilot-scale 試鍍（2-4 週）→ Mass Production Qualification（4-8 週）→ 量產上線。
