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Aonetek AT2302GD電晶體

適配Aonetek AT2302GD電晶體

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Aonetek AT2302GD｜N-Channel MOSFET 功率電晶體

Aonetek Semiconductor AT2302GD 為高效率 N-Channel MOSFET 功率電晶體，專為電源管理與負載開關應用設計。AT2302GD 具備低導通電阻與快速切換特性，可有效降低功率損耗與發熱問題，適用於各類DC電源模組與電池供電設備，是工程開發與量產應用常用元件。

🔹產品規格

項目 規格
類型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET​
封裝 SOT-23 表面黏著型（2.9×1.3×1.0mm）​
汲極-源極電壓 VDS = 20V​
閘極-源極電壓 VGS = ±12V​
連續汲極電流 ID = 3.3A​
導通電阻 RDS(on) = 65mΩ (VGS=4.5V) / 90mΩ (VGS=2.5V) ​
閾值電壓 Vth Max = 1V ​
工作溫度 -55~+150°C ​

🔹產品特點

  • Aonetek AT2302GD N-Channel MOSFET 設計
  • 低 Rds(on) 導通電阻，提升效率
  • 快速開關特性，降低切換損耗
  • 適用低電壓驅動電路
  • 貼片封裝設計，適合SMT製程

🔹適用範圍

  • DC-DC 轉換器電源模組
  • 鋰電池保護與管理電路
  • 馬達驅動與負載控制
  • LED 驅動電源
  • 工業控制與消費性電子產品

Aonetek AT2302GD 功率電晶體適合電子工程設計與批量採購使用。提供技術資料與報價服務，歡迎洽詢合作，本商品皆有基礎購買量，未達數量恕無法出貨。

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